这个高次膜的CUT OFF频率的近似计算公式如下:
Fc=C0/(pi*(a+b)*(mu(r)epsilon(r)exp(1/2)))
其中的a,b分别是内外径半径,一般工作频率选在低于0,95fc。从而用下面的公式,计算衰减技术 alpha,
alpha(max)=0,95fc/(pi*f(工作频率)*(1+a/b)*(mu(r)epsilon(r)exp(1/2))
因此,随着频率的升高,尺寸变小,从而损耗增加,可传输的功率下降。
对于频率一定的导线来说,当外内经比例在3,59时,损耗最小,而根据填充物的介电常数不同,从而有50欧姆的标准和75欧姆的标准。
一般计算高次模,通常采用chinapope提到的Komform Abbildung,不过一般来说由于填充介质本身的原因,在高频时计算特征阻抗,还要选择不同的仿真方法,区分为静态方正和动态仿真,一般动态仿真的下限频率是静态仿真的上限频率的十倍左右,这种方法在MSL上应用很广,有很多现成的公式。 这几天没上来看,我有本微波工程基础。清华大学的教程。
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