原：芯片设计概述与基本设计过程(连载)(1２月16日)

eisenstange · 发表于 2006-11-12 20:22

Serial Nr: 0037

[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-10-27 15:37 编辑 ]

eisenstange · 发表于 2006-11-12 20:40

Serial Nr: 0029

[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-10-27 15:32 编辑 ]

eisenstange · 发表于 2006-11-18 12:52

Serial Nr: 0031

[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-10-27 15:33 编辑 ]

douglas · 发表于 2006-11-26 19:17

原帖由 maedebach 于 2006-9-14 22:23 发表
隔行如隔山,吧过我可以用有限元帮你计算走线而引起的电磁干扰.

$握手$
支持楼主$送花$ $送花$

eisenstange · 发表于 2006-11-28 13:30

Serial Nr: 124

[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-12-3 22:02 编辑 ]

熊猫羊 · 发表于 2006-11-28 14:53

"漂移Drift是由于有电场作用，扩散Diffusion是由于有浓度梯度？"
对
但Schottky管是多子器件，多子漂移占绝对主导，少子扩散几乎不存在，故几乎不存在复合过程，用于高速器件，半导体－金属接触不同于半导体－半导体接触，故schottky管的导通电压低于硅器件，且易受温度影响。

熊猫羊 · 发表于 2006-11-28 16:16

此外，Schottky接触中，金属的能带是不弯曲的，只有半导体区的能带在过渡区内是弯曲的，且，通过重掺杂可以使得过渡区宽度减小，直到变成ohm接触。此外，schottky管子n型居多。

熊猫羊 · 发表于 2006-11-29 23:22

schottky管中金属的电子可谓“取之不尽用之不竭”，无论n型还是p型半导体的载流子数目，和金属部分的电子数目比起来，都少许多各数量级，故可忽略

熊猫羊 · 发表于 2006-11-29 23:55

81楼的问题我也不知道答案，只知道最早是老爱推出来的，而且被试验证实。
其实很多看似简单的问题其实已经触及物理学的根本，仔细推敲，受激辐射StE的来源是至今尚无定论，电磁推迟势，电磁超前势有联系，Freyman，Wheeler曾在40年代对此问题作出过猜测，但未能证明
可参考以下讨论
http://bbs.matwav.com/post/view? ... amp;tpg=5&age=0
或者直接发帖至
http://bbs.matwav.com
emuch.net/bbs
询问

熊猫羊 · 发表于 2006-11-30 00:14

”接触生成的过程中电子是从HL去金属还是从金属去HL，这时驱使电子运动的动力叫啥“
既不是漂移也不是扩散，漂移和扩散是载流子输运transport的方式，而其动力是电势能，因为“接触”后的金属和半导体有共同的基准电势载流子会从其高电势能处流向低电势能处，能量最低原理使之。

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