[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-10-27 15:33 编辑 ] Serial Nr: 124
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-12-3 22:02 编辑 ] Serial Nr: 124
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-12-3 22:02 编辑 ] 我觉得，棒棒用verarmumg耗尽和anreicherung富集 来解释不同类型的接触很有道理 原帖由 eisenstange 于 2006-12-2 11:52 发表
关于这个问题，我是这个理解的，确切的说物理书上是这么说的，电子辐射有两种形式，一种是本征辐射，一种是受激辐射。本征辐射，是指，比如当电子和空穴重新结合时，会以光子的形势释放出能量，当然，当电子接收能量后，又会重新和空穴分开，这在稳态下，两者速度一直，受激辐射是指，当一个光子从电子和空穴对身边飞过的手，如果电子和空穴的能量差正好是这个光子的能量，那么该光子会诱发电子和空穴的结合，从而使放出另一个光子，从而产生光增益。这是受激辐射。
目前最新的技术是，采用多重量子阱的方法（不同材料做成三明治结构，中间材料的长度和基本电子的德布罗毅波长接近，大概５到１０ｎｍ，从而阱中能量级变成离散，同时一个能量级上有更多的状态），这样上下再加上两个高分辨得反射镜，这就是基本的ＶＣＳＥＬ（垂直腔表面辐射激光）的结构，本征激发的光子被不断的反射，每次经过量子阱时都会激发出更多的同类型光子，基本上增益达到３０－４０ｄｂ．
）完整的 辐射－物质相互作用除了自发辐射，受激辐射，还应包括受激吸收，即棒棒说的”当电子接收能量后，又会重新和空穴分开“，稳态下的平衡确切的说法是 受激吸收 和 （自发辐射＋受激辐射）是平衡的，对非激光光源，自发辐射占绝对主导，它必受激辐射大5到10个数量级，由于自发辐射间无相互位象关联，无相互偏振关联，故自发辐射占主导的光（更广义的，电磁波）的方向性（可用发散角度量），相干性（位象的关联性），单色亮度都远不及激光
此外，量子阱激光器QWLD的激活层active layer的厚度大约为电子在此材料中的de brogile波长，电子在1维受束缚，电子能级由连续分裂离散，有利于被有效填充，故可减小阈值电流密度，此外激活层外的物质充当，1电子的势垒，也使得电子不易逃逸，2光子的势垒，即光波导，使得光子被限制，以上3条都有利于提高光子产率。当然若能在更XX度上限制电子，则LD的阈值电流密度还可进一步降低，效率可进一步提高，例如，使用mocvd或者MBE精确生长，限制2维，激活层制成条状，即得到量子线激光器QTLD、限制3维，激活层制成点状，即得到量子点激光器QDLD、若使得各激活层间电子的波函重叠，即得到量子级联激光器，可制成垂直腔型，用于泵浦固体激光器，效率和荧光效率极高，这是半导体激光器的一大发展方向，由此也推动了整个激光工业，尤其是激光加工的发展。此外垂直腔面发射激光器还由于并行计算，光互联，这是半导体激光器的第二个发展方向，即信息处理，传递
[ 本帖最后由 熊猫羊 于 2006-12-2 18:08 编辑 ] Serial Nr: 124
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-12-3 22:03 编辑 ] 写完了，。。。。
推荐几个网站
http://www.accessmylibrary.com/coms2/browse_JJ_M215和光刻有关的，提供一些资料
http://semitech.blogspot.com
一个与实际半导体生产有关的资料库
http://www.reed-electronics.com/semiconductor/
半导体国际英文站
http://www.sichinamag.com/
半导体国际中文站
[ 本帖最后由 熊猫羊 于 2006-12-12 05:40 编辑 ]