对于金属来说，这个亲合势是不是通常很大，因为它们基本上都是失去电子？而且它们能否保持这种不稳定状态。
应该是很小，他们不愿意接受电子，electron affinity 很弱
亲合能不是释放能量的么，如果很小，Potential Barrier岂不是很低，很easy的就得到电子？
这个是释放，不是得到，affinity 是衡量得到电子的一种能力，你google一下再好好看看，我都快被你弄糊涂了
potential barrier 是跟两个原子的距离有关，跟自由电子是两回事啊
或者我们这样子理解，一个电子在真空中的能量我们可以认为是A，当这个电子被金属吸引后，电子的能量就变成了b，很明显B<A,多余的能量就释放了出来，以什么形式释放我们暂且不考虑。电子是愿意从高能级像低能级跃迁的，因为这样更稳定。但是当B和A相差不多的时候，由于电子除了受吸引力外还要考虑金属中电子的排斥力，这样子的话，电子就不愿意从A跃迁到B了，我们可以理解为金属吸引电子的能力比较弱，也就是说B-A的差很小，即亲和势很小
呵呵，看来是初学者的烦恼。
在我们的半导体里，掺三价的Bor原子的affinity比掺五价的Phosphor原子的affinity要低，但照理来说三价的是Accptor，更容易得到电子。所以有点糊涂
原帖由 eisenstange 于 2006-9-28 16:12 发表
呵呵，看来是初学者的烦恼。
在我们的半导体里，掺三价的Bor原子的affinity比掺五价的Phosphor原子的affinity要低，但照理来说三价的是Accptor，更容易得到电子。所以有点糊涂
你这么说我觉得你连半导体的这个donor和acceptor都没搞明白，参杂后的affinity是要考虑donant的，B比P的affinity低,所以这个结果是很正常的
至于B作为acceptor是因为它的电子少，但是却可以提供空穴，实际上空穴也是可以移动的，p型半导体就是空穴的移动。他并不是接收电子，而是提供可移动的载流子，空穴和电子都是载流子
参杂后的affinity是要考虑donant，这个我知道，而我同时也知道，这个affinity的变化，和掺杂的元素，以及杂质的浓度是有关系的，比如在PN结中，导带底一直随着空穴的浓度降低而降低，同时affinity的大小却随着这个降低而增加， 所以我认为这个affinity的变化，最终是和Bor或者Phosphor有关的。电子和空穴的导电是两种不同的机制，所以我认为这个affinity还不能完全的如上面讨论的来对待。因为在Banddiagram上，affinity是从真空到导带底，也就是说，只计算已经在导带的电子到真空的能量差，而对于非金属元素，最外层的电子一般不在导带上（绝对0度情况下），而处于共价键中，所以affinity作为吸收电子而释放的能量，我还是有些糊涂。只有一种说法，即affinity不仅仅是对单个原子，而且要同时考虑化学键。
感觉又回到起点了，对了，空穴的能量，你能给我解释解释么？对着我很难理解。实际上是核的引力，如何转嫁到电子的能量上去了呢？
正常情况下，按基本的理论是没有电子在导带的，价带到导带有个能隙，金属可以导电因为这个能隙比较小而以。你的理解从一开始就不对，还有你说的那一些东西我认为你需要从头到尾好好看一遍书了，看完再来问吧，你这些东西不清楚，根本就是怎么讲都不清楚
空穴的能量很简单，电子跃迁后，留下一个空穴，这个空穴就带正电，自然有能量，这个本来就是一个抽象的概念，如果你实在理解不了也没办法了。。。。
“比如在PN结中，导带底一直随着空穴的浓度降低而降低，同时affinity的大小却随着这个降低而增加“， 能说出为什么吗？不要只记住结论，你搞清楚原因就可以理解了
“最终是和Bor或者Phosphor有关的“ 跟参杂浓度有关，我不明白你为什么非要讨论affinity,金属中重要的是negativity
"即affinity不仅仅是对单个原子，而且要同时考虑化学键" 考虑化学键就不是affinity了，就是negativity了，我不明白你为什么会得出这些奇怪的理论
你自己看书吧，你这不是差一点点的问题，从一开始就没有搞明白，难道你们教授没有给你们讲课吗？这种东西应该会讲得很清楚地，当时不明白为什么不直接问教授呢？